单壁碳纳米管薄膜晶体管的栅极电容耦合
材料科学
2010-01-12 v2
摘要
我们分析了薄膜晶体管 (TFT) 中单壁碳纳米管 (SWNT) 网络/阵列与平面栅极之间的静电耦合，分别在量子极限下使用解析模型，在经典极限下使用有限元建模。计算出的电容取决于栅极介电层的厚度和管之间的平均间距，并且在一定程度上取决于这些间距的分布。使用亚单层、随机 SWNT 网络的晶体管实验验证了这些计算的某些方面。这些结果对于开发作为 TFT 和其他电子器件有源层的纳米管网络或阵列具有重要意义。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612012,
title = {Gate Capacitance Coupling of Singled-walled Carbon Nanotube Thin-film Transistors},
author = {Qing Cao and Minggang Xia and Coskun Kocabas and Moonsub Shim and John A. Rogers and Slava V. Rotkin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612012},
year = {2010}
}
备注
accepted to APL ver 2: ps figures replaced with new eps figures