0.18$\mu$m CMOS 工艺中 -55°C 至 170°C 的高线性电压基准电路
材料科学
2007-09-13 v1
摘要
高线性电压基准电路已在 TSMC 0.18m CMOS 工艺中设计并实现。先前的研究提出使用工作在弱反型区的 MOS 晶体管来替代传统 PTAT（绝对温度成正比）电路中的双极器件。然而，由于现代深亚微米和纳米级 CMOS 技术中器件的漏电流，此类解决方案在高温区域往往存在线性度问题。所提出的电路利用两种电压基准（PTAT 和 IOAT（与绝对温度无关）基准）上的温度互补技术，以增强线性度并产生更稳定的 IOAT 电压基准。基于仿真结果，两种电路在 -55°C 至 170°C 的相当宽的温度范围内，其决定系数（R-squares）均优于 0.999。因此，设计了一种具有更宽温度范围的全集成温度传感器，并可轻松以最小的工作量集成到现代片上系统（system-on-chip）设计中。
引用
@article{arxiv.0709.1856,
title = {-55 degrees C to 170 degrees C High Linear Voltage References Circuitry in 0.18\`im Cmos Technology},
author = {J. Tzuo-Sheng Tsai and H. Chiueh},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1856},
year = {2007}
}
备注
Submitted on behalf of TIMA Editions (http://irevues.inist.fr/tima-editions)