利用扫描热显微镜测量亚微米集成电路的温度
经典物理
2007-11-29 v1
摘要
使用装有微米级热电阻丝探针的扫描热显微镜（SThM）进行了表面温度测量。设计了一种 CMOS 器件，包含宽度为 0.35m 的电阻线阵列。阵列周期分别为 0.8micron 和 10micron，以研究 SThM 的空间分辨率。测试了具有微米级和纳米级钝化层的集成电路。为了提高信噪比，使用交流电流加热电阻线。纳米级厚度的钝化层使得在阵列周期为 10micron 时能够区分各条线。结果揭示了 SThM 测量面临的困难，一方面源于集成电路的设计与形貌，另一方面源于热探针的尺寸。
引用
@article{arxiv.0711.4530,
title = {Temperature measurement of sub-micrometric ICs by scanning thermal microscopy},
author = {S. Gomès and Po Chapuis and F. Nepveu and N. Trannoy and S. Volz and B. Charlot and Gilles Tessier and S. Dilhaire and Bernard Cretin and Pascal Vairac},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.4530},
year = {2007}
}