用于辐射探测的宽禁带半导体：综述
应用物理
2025-05-27 v1 材料科学
摘要
本文概述了用于辐射探测应用的宽禁带（WBG）半导体。高质量晶圆制造的最新进展使得宽禁带半导体器件的卓越应用成为可能。文中描述了最常用的用于辐射探测的4H-SiC、GaN和β-Ga2O3器件。4H-SiC和GaN器件在探测α粒子和中子，特别是热中子方面，已经取得了卓越的成果。虽然β-Ga2O3器件尚未达到（与4H-SiC和GaN相比）同等的技术成熟度，但其目前在X射线探测方面的成就表明了巨大的潜力和未来应用的良好前景。
引用
@article{arxiv.2402.05496,
title = {Wide bandgap semiconductors for radiation detection: A review},
author = {Ivana Capan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.05496},
year = {2025}
}