GaAs 作为用于直接暗物质探测的明亮低温闪烁体
仪器与探测器
2019-04-23 v1
摘要
研究了未掺杂、Si 掺杂以及 Si、B 共掺杂 GaAs 样品的光学与闪烁特性。给出了利用 Si 和 InGaAs 光电探测器在宽红外区域测得的 GaAs 光产额规格与 X 射线发光特性。未掺杂 GaAs 在 838 nm (1.48 eV) 处呈现窄发射带，光输出约为 2 ph/keV。GaAs:Si 的特征为 830 nm (1.49 eV)、1070 nm (1.16 eV)、1335 nm (0.93 eV) 三个宽发光带，光输出约为 71 ph/keV。对于 GaAs:(Si, B)，观察到 860 nm (1.44 eV)、930 nm (1.33 eV)、1070 nm (1.16 eV) 和 1335 nm (0.93 eV) 四个发光带。估计共掺杂样品的光产额高于 125 ph/keV。讨论了窄带隙半导体作为用于粒子探测的低温闪烁体的应用。GaAs 是一种用于暗物质 (DM) 探测的低温闪烁体的有前景晶体。
引用
@article{arxiv.1904.09362,
title = {GaAs as a bright cryogenic scintillator for the direct dark matter detection},
author = {S. Vasiukov and F. Chiossi and C. Braggio and G. Carugno and F. Moretti and E. Bourret and S. Derenzo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.09362},
year = {2019}
}