未掺杂 CsI 与 SiPM 在 77 开尔文下直接耦合的首次运行

利用 $^{241}$Am 放射源在 18 至 60 keV 的 $X$ 与 $\gamma$ 射线峰，测得在约 77~Kelvin 下与两个硅光电倍增管（SiPMs）直接耦合的小块未掺杂碘化铯（CsI）晶体的光产额为每 keV 电子等效（keV$_\text{ee}$） $43.0 \pm 1.1$~光电子（PE）。高光产额连同其他一些技术优势，展示了这一新颖组合在中微子与低质量暗物质探测方面的巨大潜力，特别是在基于加速器的中微子源处，可通过要求 SiPM 与束流脉冲定时信号之间的符合触发来高度抑制随机本底。也识别出了使用低温 SiPM 替代光电倍增管（PMTs）的一些潜在缺陷，如更差的能量分辨率和 SiPM 间的光学串扰。讨论了它们对稀有事件探测的影响并给出了可能的解决方案。