ZrSiO$_4$ 中本征点缺陷的能量学
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们利用第一性原理计算研究了锆石中本征点缺陷的形成能、电子和空穴亲和势以及电子能级。获得了带电间隙、空位、弗伦克尔对和反位缺陷的原子结构。我们采用可变晶格弛豫模拟了辐射损伤引起的肿胀，研究了与该材料在核废料固化应用中相关的高浓度点缺陷极限。低浓度缺陷极限则通过更大的晶胞和固定的晶格参数进行模拟。利用已知的锆石与硅界面的能带偏移值，我们分析了这些缺陷对用作金属-氧化物-半导体器件栅极的锆石电子特性的可预见影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410737,
title = {Energetics of intrinsic point defects in ZrSiO$_4$},
author = {J. M. Pruneda and Emilio Artacho},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410737},
year = {2007}
}
备注
preprint 16 pages, 4 figures, and 5 tables