GeSi 中铟与点缺陷及硅的吸引相互作用

在电子辐照的 Ge$_{0.98}$Si$_{0.02}$ 中，观察到 In-空位和 In-间隙原子复合体，这与纯 Ge 中的缺陷类似。等时退火测量表明，In-缺陷复合体的解离温度偏离了经受相同电子辐照的纯 Ge，这被解释为尺寸不足的硅原子引起的应变影响了 In-V 和 In-I 复合体的结合能。除了与本征缺陷配对外，还观察到 In 与 Si 原子的相互作用，导致几种不同的构型。在 Ge$_{0.98}$Si$_{0.02}$ 和 Ge$_{0.94}$Si$_{0.06}$ 中进行的补充实验阐明了 In 与 Si 之间的吸引相互作用。