用于硅基室温单原子纳米电子学的 GeVn 复合缺陷
计算物理
2019-01-30 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用基于筛选依赖杂化泛函的第一性原理密度泛函理论计算表征了硅中的锗-空位 GeVn 复合缺陷。我们报道了这些缺陷的局域几何结构与电子激发态，包括对应于向缺陷添加一个或多个电子的电荷转变能级。我们的主要理论结果涉及 GeV 复合缺陷，我们证明其会在带隙深处产生两个激发态，分别位于导带下方 -0.51 和 -0.35 eV 处，与现有的光谱数据一致。所采用的理论方案适用于计算波函数衰减的可靠估计，使我们预测这些态与约 0.45 nm 长度上的电子局域化相关。通过将携带带隙深处态的裸硅空位的电子特性与单 Ge 离子注入技术带来的空间可控性相结合，GeVn 复合缺陷成为硅基室温单原子器件的合适要素。
引用
@article{arxiv.1803.01493,
title = {GeVn complexes for silicon-based room-temperature single-atom nanoelectronics},
author = {Simona Achilli and Nicola Manini and Giovanni Onida and Takahiro Shinada and Takashi Tanii and Enrico Prati},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.01493},
year = {2019}
}