金刚石中超过 20 ms 的锗空位量子存储
量子物理
2024-02-01 v3
摘要
金刚石中带负电的 IV 族缺陷因其高效的自旋-光子接口而展现出作为量子网络节点的巨大潜力。然而，达到足够长的相干时间仍是一项挑战。本工作中，我们在毫开尔文温度下演示了锗空位中心（GeV）的相干控制，并将其相干时间延长数个数量级至超过 20 ms。我们将磁噪声与振幅噪声建模为 Ornstein-Uhlenbeck 过程，很好地复现了实验结果。所采用的方法为在各种实验条件下优化 IV 族缺陷的相干时间及其在量子技术中的成功应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2308.09666,
title = {Germanium Vacancy in Diamond Quantum Memory Exceeding 20 ms},
author = {Katharina Senkalla and Genko Genov and Mathias H. Metsch and Petr Siyushev and Fedor Jelezko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.09666},
year = {2024}
}