Si 和 Ge 中 Cd-空位和 Cd-间隙复合物
材料科学
2016-08-31 v1
摘要
电场梯度(EFG)，例如在扰动角相关(PAC)实验中测得，对于探针原子如 111In / 111Cd 与其他缺陷的相互作用提供了特别有用的数据。然是 EFG 的解释却是一个困难的任务。本文旨在理解 Cd 杂质与空位和间隙在 Si 和 Ge 中的相互作用，这代表了一个有争议的问题。我们在密度泛函理论(DFT)框架内应用两种互补的 ab initio 方法:(i) 全电子克洛林-科恩-罗斯特克器(KKR)格林函数方法和(ii) 简化势-平面波(PPW)方法，寻找正确的局部几何结构。意外地我们发现，在 Si 和 Ge 中，取代性 Cd-空位复合物不稳定，松弛到 Cd 位于键中心位置的分裂空位复合物。该复合物 EFG 极小，允许唯一确定 Ge 中 54MHz 和 Si 中 28MHz 的小 EFG。对于 Cd-自间隙复合物，我们也获得高度对称的分裂配置，具有较大的 EFG，与实验结果相当一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406616,
title = {Cd-vacancy and Cd-interstitial complexes in Si and Ge},
author = {H. Hoehler and N. Atodiresei and K. Schroeder and R. Zeller and P. H. Dederichs},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406616},
year = {2016}
}