In2O3 中 Cd 掺杂原位电场梯度 -- FLAPW 研究
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们报告了对 In2O3 中位于两种不等离子态阳离子位点的 Cd 掺杂原位电场梯度张量（EFG）的第一性原理研究。采用 FLAPW 方法进行计算，该方法使我们能够在完全自洽方式下处理掺杂体系的电子结构以及由掺杂引入的原子松弛。通过我们的 EFG 计算结果（与实验结果高度吻合），显然 In2O3 中 EFG 的问题无法用点电荷模型和反屏蔽因子来描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0408102,
title = {Electric-Field Gradient at Cd Impurities in In2o3. A FLAPW Study},
author = {L. A. Errico and M. Renteria and G. Fabricius and G. N. Darriba},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0408102},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 2 figures, and 2 tables