$InSe$中的缺陷与抗氧化性
材料科学
2017-08-23 v2
摘要
我们使用密度泛函理论研究硒化铟中的本征缺陷和氧相关缺陷。我们发现易于氧化，但与磷烯相比与氧的反应较弱。富材料中的主导本征缺陷是间隙（浅施主）和空位（引入深陷阱）。后者可被氧钝化，氧与等电子。富材料中的主导本征缺陷具有相对较高的形成能。
引用
@article{arxiv.1705.05519,
title = {Defects and oxidation resilience in $InSe$},
author = {KaiJian Xiao and Alexandra Sarabando de Carvalho and Antonio Helio Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.05519},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 8 figures, 2 tables, 49 references