利用光学显微方法识别薄层 InSe 的厚度
材料科学
2020-09-23 v1 光学
摘要
硒化铟（InSe）作为一种新型范德瓦耳斯层状半导体，因其在超薄极限下优异的光电性质而引起了广泛的研究兴趣。在此，我们讨论了四种不同的光学方法，用于定量识别沉积在各类衬底（如 SiO2/Si 或透明聚合物衬底）上的薄层 InSe 的厚度。对于沉积在透明衬底上的薄层 InSe，可利用其在可见光谱蓝光区的透射率来估算厚度。对于由 SiO2/Si 支撑的 InSe， flakes 的厚度既可通过评估其表观颜色来估算，也可利用基于菲涅耳定律的光学衬度谱拟合模型进行精确分析。最后，我们还研究了 InSe 光致发光发射能量对厚度的依赖性，这提供了一种估算 InSe 厚度的附加工具，且适用于沉积在 SiO2/Si 和透明聚合物衬底上的 InSe。
引用
@article{arxiv.2009.10489,
title = {Thickness identification of thin InSe by optical microscopy methods},
author = {Qinghua Zhao and Sergio Puebla and Wenliang Zhang and Tao Wang and Riccardo Frisenda and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.10489},
year = {2020}
}
备注
4 figures