范德瓦耳斯场效应结构中平带色散的电学探测
介观与纳米尺度物理
2024-06-25 v1
摘要
二维平带系统因在范霍夫奇点处由涌现现象与关联电子态揭示的丰富物理而近期备受关注。然而，在场效应结构中电学探测平带位置的困难正减缓对其性质的研究。本工作中，我们采用硒化铟（InSe）作为平带系统，因其少层形式在价带边处具有范霍夫奇点且无需扭转角。我们研究栅极调控少层 InSe 结构中的隧穿光电流，并将其与双极性输运和光致发光测量相关联。我们观察到由于平带处范霍夫奇点的存在，隧穿机制出现急剧变化。我们进一步通过研究隧穿电流作为平带位置的可靠探针（直至室温）来佐证我们的发现。我们的结果为在二维材料异质结构中研究平带系统提供了另一种途径。
引用
@article{arxiv.2307.09937,
title = {Electrical detection of the flat band dispersion in van der Waals field-effect structures},
author = {Gabriele Pasquale and Edoardo Lopriore and Zhe Sun and Kristiāns Čerņevičs and Fedele Tagarelli and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Oleg V. Yazyev and Andras Kis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.09937},
year = {2024}
}