层状半导体中缺陷诱导的刚性增强
材料科学
2015-02-23 v1
摘要
我们讨论了当前备受关注的层状材料In掺杂GaSe结构性质改善的机制。形成能计算表明，通过调节费米能，In可以替代Ga，或者作为间隙带电缺陷（Inᵢ³⁺）存在。我们发现Inᵢ³⁺显著提高了GaSe的剪切刚度，这解释了在In掺杂p型GaSe中观察到的刚性增强现象。本文讨论的刚性增强机制具有相当的普适性，适用于一大类层间结合较弱的层状固体。
引用
@article{arxiv.0906.4495,
title = {Defect induced rigidity enhancement in layered semiconductors},
author = {Zs. Rak and S. D. Mahanti and K. C. Mandal and N. C. Fernelius},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.4495},
year = {2015}
}
备注
4 figures