介电体与半导体上表面增强拉曼散射的理论

本文论证了介电体和半导体基底上产生表面增强拉曼散射（SERS）的原因在于表面粗糙度顶部极小半径（即极大曲率）区域内的电场增强。该增强取决于基底的介电常数，且介电常数越大，增强越强。文中指出，在介电常数模量相同的情况下，介电体和半导体上的增强弱于金属上的增强。所得结果得到了多种半导体和介电体基底增强系数实验数据的证实。