非晶SiO₂中分子氢与硅悬挂键反应的特征
材料科学
2007-05-23 v1 无序系统与神经网络
摘要
本文原位研究了在非晶SiO₂（石英玻璃）中由激光辐照诱导的硅悬挂键缺陷（E'中心）被扩散的H₂钝化的过程，实验在多个温度下进行。研究发现，E'中心与H₂之间的反应需要0.38 eV的活化能，且其动力学不受扩散限制。结果与先前关于石英玻璃中另一种基本顺磁点缺陷——非桥氧空穴中心的研究发现进行了比较，后者与H₂的反应特性完全不同。此外，还与文献中关于表面E'中心、嵌入二氧化硅薄膜中的E'中心的反应特性数据以及理论计算结果进行了比较。特别是，与表面E'中心同H₂反应特性的高度一致表明，体相和表面E'中心在它们与分子氢的反应特性上是无法区分的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703063,
title = {Character of the reaction between molecular hydrogen and silicon dangling bond in amorphous SiO_2},
author = {F. Messina and M. Cannas},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703063},
year = {2007}
}
备注
15 pages, 3 figures, submitted to J. Phys. Chem. B