非晶MgSiO₃硅酸盐中的光致发光
太阳与恒星天体物理
2015-06-16 v1 材料科学
摘要
将非晶MgSiO₃样品在逐步升温至晶化温度的过程中退火，其光致发光活性增强，在约450°C时达到峰值。光致发光带的主峰位于595nm，较弱的峰位于624nm。我们提供的实验室数据表明，光致发光活性的最大值与在较窄温度范围内发生的显著结构重排有关。我们将光致发光归因于非桥氧空穴中心缺陷，这些缺陷在有序纳米级畴结构周围形成，是由于无序域间网络中四面体连接性断裂以及键合OH的损失所致。随着晶化过程的进行，这些缺陷被消除，导致光致发光减弱并最终消失。因此，热处理的氢化非晶硅酸盐颗粒可能是扩展红发射的潜在载体。
引用
@article{arxiv.1307.0649,
title = {Photoluminescence in amorphous MgSiO_3 silicate},
author = {S. P. Thompson and J. E. Parker and S. J. Day and L. D. Connor and A. Evans},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.0649},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 12 figs. Accepted for publication in MNRAS