MAPbI$_3$的光致发光：半导体科学与技术的视角
应用物理
2021-03-31 v1 材料科学
摘要
在这项工作中，我们在 10-160 K 温度范围内，使用跨越近七个数量级的激发密度（特别研究了文献中很少使用的极低密度）对 MAPbI 薄膜进行稳态连续波（cw）光致发光（PL）测量。本研究使用的温度范围处于或低于 MAPbI 中正交-四方相变的边缘。特别地，我们表明即使在能够提供高光伏效率的高质量 MAPbI 中，缺陷密度也高到足以产生一个能级带。此外，我们表明与两个晶相相关的两个 PL 组分之间的强度比是温度和激发的函数。在高激发强度下，我们表明即使在 cw 条件下也可获得放大自发辐射。还进行了时间分辨 PL 以佐证某些 PL 特征的归属。最后，我们典型的半导体表征系统性方法表明，它也应应用于杂化卤化物钙钛矿，并且在适当条件下，MAPbI 的 PL 特性可与常规无机半导体相协调。
引用
@article{arxiv.2008.09009,
title = {Photoluminescence of MAPbI$_3$: a semiconductor science and technology point of view},
author = {Valerio Campanari and Antonio Agresti and Sara Pescetelli and Aswathi K. Sivan and Daniele Catone and Patrick O Keeffe and Stefano Turchini and Aldo Di Carlo and Faustino Martelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.09009},
year = {2021}
}