单根CdS纳米线的温度依赖光致发光
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
使用温度依赖的光致发光（PL）研究单根CdS纳米线的电子性质。在低温下，许多纳米线中观察到近带边（NBE）光致发光（PL）和空间局域的缺陷相关PL。缺陷态的强度是判断纳米线特性和结构均匀性的灵敏工具。随着温度升高，缺陷态以不同速率迅速猝灭，留下NBE PL，该PL在室温下仍占主导。来自纳米线的所有PL线都紧密跟随温度依赖的带边，类似于在块体CdS中观察到的情况。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606428,
title = {Temperature dependent photoluminescence of single CdS nanowires},
author = {Thang Ba Hoang and L. V. Titova and H. E. Jackson and L. M. Smith and J. M. Yarrison-Rice and J. L. Lensch and L. J. Lauhon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606428},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 4 figures