钛酸锶的缺陷诱导光致发光及其静电门控调制
强关联电子
2015-12-18 v1 材料科学
摘要
由 He-Cd 激光 325 nm 谱线激发的 Ar 离子辐照 SrTiO3 (STO) 单晶的光致发光 (PL) 光谱，在低至 20 K 的若干温度下与原始晶体、外延薄膜以及 STO 非晶层的光谱进行比较。550 eV Ar 束辐照激活了三个明显可见的 PL 峰：室温下的蓝峰 (~430 nm)、绿峰 (~550 nm) 和红外峰 (~820 nm)，使光致发光呈多色。PL 性质在 ~100 K 以下的突变与 SrTiO3 从立方到四方对称性的反铁畸变结构相变相关，该相变使其变为直接带隙半导体。光致发光光谱也可通过场效应晶体管几何结构中的静电栅场进行调谐。在 20 K 下，我们观察到 STO 背栅调控下 PL 强度最大增加约 20%。
引用
@article{arxiv.1512.05518,
title = {Defect-induced photoluminescence of strontium titanate and its modulation by electrostatic gating},
author = {Dushyant Kumar and R. C. Budhani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.05518},
year = {2015}
}