带氧化层覆盖的单层MoS2的低温光致发光
材料科学
2012-02-22 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了SiO2表面上单层MoS2薄片的光致发光研究。我们证明，由天然MoS2制备的薄片，其发光峰位置在各个刚制备的薄片之间差异可达25 meV，而通过在真空中退火去除表面吸附质，可以使该发光峰位置均匀化。我们使用通过原子层沉积制备的HfO2和Al2O3层来覆盖部分薄片。我们清楚地观察到，在低温下刚制备的薄片所呈现的低能发光峰受到了抑制，这表明该峰源于束缚于表面吸附质的激子。我们还观察到带氧化层覆盖的薄片的发光峰具有不同的温度诱导偏移。这一效应源于氧化层与MoS2薄片具有不同的热膨胀系数。这表明单层MoS2薄片与氧化层紧密粘附，因此受到了应变。
引用
@article{arxiv.1112.3747,
title = {Low-temperature photoluminescence of oxide-covered single-layer MoS2},
author = {G. Plechinger and F. -X. Schrettenbrunner and J. Eroms and D. Weiss and C. Schüller and T. Korn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.3747},
year = {2012}
}
备注
3 pages, 2 figures