通过O3暴露对MoTe2进行可控逐层氧化
材料科学
2018-09-05 v1
摘要
在TMDs上生长具有不同厚度的均匀氧化物是将TMDs集成到互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑电路中的最大挑战之一。本文报道了通过臭氧(O3)暴露对原子级薄MoTe2薄片进行逐层氧化。MoOx氧化膜的厚度可通过简单改变O3暴露时间以原子级精度进行调控。此外，MoOx覆盖的MoTe2表现出空穴主导的输运行为。我们的发现指出了一种在MoTe2上生长均匀表面氧化膜的简单有效策略，这在金属-氧化物-半导体晶体管中从表面钝化到介电层等多种用途上具有前景。
引用
@article{arxiv.1809.00119,
title = {Controlled Layer-by-Layer Oxidation of MoTe2 via O3 Exposure},
author = {Xiaoming Zheng and Yuehua Wei and Chuyun Deng and Han Huang and Yayun Yu and Guang Wang and Gang Peng and Zhihong Zhu and Yi Zhang and Tian Jiang and Shiqiao Qin and Renyan Zhang and Xueao Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.00119},
year = {2018}
}