ZrS2(001) 表面依赖压力的逐层氧化
材料科学
2023-03-07 v1 化学物理
计算物理
摘要
理解层状半导体过渡金属硫族化物（TMDC）的氧化机制，对于控制本征氧化物形成以及合成氧化物和氧硫化物产物均十分重要。本文中，反应分子动力学模拟表明，氧分压不仅控制 ZrS2 的氧化速率，还控制氧化物形貌与质量。我们发现氧化过程中存在从逐层氧化到非晶氧化物介导的连续氧化的转变，其中不同压力在给定的时间窗口内选择性地暴露不同的氧化阶段。快速连续氧化阶段的动力学可由常规 Deal-Grove 模型很好描述，而逐层氧化阶段则由反应键切换机制主导。本工作为广泛 TMDC 材料的理性压力控制氧化提供了原子尺度细节与潜在基础。
引用
@article{arxiv.2303.03220,
title = {Pressure-Dependent Layer-by-Layer Oxidation of ZrS2(001) Surface},
author = {Liqiu Yang and Rafael Jaramillo and Rajiv K. Kalia and Aiichiro Nakano and Priya Vashishta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.03220},
year = {2023}
}