热氧化单层及少层 2H-MoS2 第二谐波研究

Katharina Burgholzer; Henry Volker Hübschmann; Gerhard Berth; Adriana Bocchini; Uwe Gerstmann; Wolf Gero Schmidt; Klaus D. Jöns; Alberta Bonanni

热氧化单层及少层 2H-MoS2 第二谐波研究

材料科学 2026-03-10 v1

作者: Katharina Burgholzer , Henry Volker Hübschmann , Gerhard Berth , Adriana Bocchini , Uwe Gerstmann , Wolf Gero Schmidt , Klaus D. Jöns , Alberta Bonanni

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摘要

presented for thermally oxidized MoS2 单层至七层厚度的 second harmonic generation (SHG) 研究。观察未处理和氧化 MoS2 的基本非线性行为，发现氧化导致所有受检结构的 SHG 响应发生显著变化。用于分析氧化时间相对非线性行为的激发功率依赖测量显示，在考虑的氧化条件下，最大氧化时间可达六小时，氧化呈渐进进行。此处，偏振依赖测量揭示了由于氧化导致的结构变化。此外，发现氧化深度限制于最上层，且氧化行为表现出层依赖性。这些发现得到理论带结构计算的支持。结果表明，热氧化过程的 2D MoS2 可通过非共振且无创的 SH 显微镜监测，通过跟踪非线性响应中结构修饰的 distinct 指纹来实现。

关键词

第二谐波产生热氧化 MoS2 偏振依赖测量带结构计算非线性光学响应

引用

@article{arxiv.2603.08461,
  title  = {Second harmonic study of thermally oxidized mono- and few-layer 2H-MoS2},
  author = {Katharina Burgholzer and Henry Volker Hübschmann and Gerhard Berth and Adriana Bocchini and Uwe Gerstmann and Wolf Gero Schmidt and Klaus D. Jöns and Alberta Bonanni},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2603.08461},
  year   = {2026}
}

备注

Katharina Burgholzer and Henry Volker H\"ubschmann contributed equally

热氧化单层及少层 2H-MoS2 第二谐波研究

摘要

关键词

引用

备注

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