通过氧等离子体处理实现单层 MoS2 的光致发光猝灭
介观与纳米尺度物理
2015-06-02 v2 材料科学
摘要
通过氧等离子体处理产生缺陷，我们展示了单层 MoS2 光学性质的变化。我们发现，随着等离子体暴露时间的增加，光致发光 (PL) 从非常高强度演变为完全猝灭，伴随着 MoS2 拉曼模式的逐渐减弱和展宽，这表明氧轰击后 MoS2 晶格发生了畸变。X 射线光电子能谱研究显示出现了 Mo6+ 峰，表明 MoS2 薄片中形成了无序的 MoO3 区域。最后，利用能带结构计算，我们证明了暴露于氧等离子体后形成的无序 MoO3 域导致单层 MoS2 发生从直接带隙到间接带隙的跃迁，这解释了观察到的 PL 猝灭现象。
引用
@article{arxiv.1405.0646,
title = {Photoluminescence Quenching in Single-layer MoS2 via Oxygen Plasma Treatment},
author = {Narae Kang and Hari P. Paudel and Michael N. Leuenberger and Laurene Tetard and Saiful I. Khondaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.0646},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 7 figures