通过氧等离子体缺陷工程调控单层 MoS2 的电学性能
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v1
摘要
我们证明了通过控制暴露于氧等离子体，单层二硫化钼 (MoS2) 的电学性能可以从半导体机制显著调控至绝缘体机制。通过控制等离子体暴露时间，单层 MoS2 器件的迁移率、导通电流和电阻变化可达四个数量级。拉曼光谱、X 射线光电子能谱和密度泛函理论研究表明，电子性质的显著变化是由于氧等离子体暴露导致 MoS2 片中产生了富含 MoO3 的无序绝缘域，从而导致电阻和迁移率随等离子体暴露时间呈指数变化。使用有效介质模型计算的电阻变化与测量结果高度吻合。此处描述的简单方法可用于制造基于 MoS2 和其他过渡金属二硫化物的可调谐二维纳米器件。
引用
@article{arxiv.1404.5089,
title = {Electrical property tuning via defect engineering of single layer MoS2 by oxygen plasma},
author = {Muhammad R. Islam and Narae Kang and Udai Bhanu and Hari P. Paudel and Mikhail Erementchouk and Laurene Tetard and Michael N. Leuenberger and Saiful I. Khondaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.5089},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 10 figures