等离子体处理 MoS$_2$ 中场效应迁移率的氧化物介导自限制恢复
材料科学
2019-01-01 v1
摘要
精确调控二维纳米材料的电子特性是当前材料科学领域研究的一个关键目标。层状过渡金属二硫属化物的化学修饰导致这些材料的低维变体异质结构的产生。特别是，含氧等离子体处理对二硫化钼（MoS）的影响长期以来被认为对材料的电学性能有害。在此，我们展示通过系统地暴露于氧:氩等离子体，可以精确控制和改善 MoS 的迁移率和电导率，并利用先进的光谱学和显微技术对材料进行表征。通过证实电导率增强的互补理论建模，我们揭示了一种二维三氧化钼相（2D-MoO）在改善材料电子行为中的作用。对 MoO 有益作用的推论将有助于为该领域开辟新途径，即通过纳米修饰异质结构中的低维氧化物来调控二维半导体。
引用
@article{arxiv.1706.08573,
title = {Oxide-mediated self-limiting recovery of field effect mobility in plasma-treated MoS$_2$},
author = {Jakub Jadwiszczak and Colin O'Callaghan and Yangbo Zhou and Daniel S. Fox and Eamonn Weitz and Darragh Keane and Ian O'Reilly and Clive Downing and Aleksey Shmeliov and Pierce Maguire and John J. Gough and Cormac McGuinness and Mauro S. Ferreira and A. Louise Bradley and John J. Boland and Valeria Nicolosi and Hongzhou Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.08573},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 5 figures