织构化硫超掺杂硅的光学与电学性质：一项热退火研究
材料科学
2015-06-19 v1
摘要
当硫元素以 cm的过饱和密度超掺杂进入晶体硅时，结合表面穹顶结构的减反射效应，可将硅的亚带隙光吸收率从 0 提升至 70%。另一方面，能够贡献强亚带隙吸收的局部 Si:S 构型尚不清楚。为了探寻该局部 Si:S 构型的更多特征，我们对织构化硫超掺杂硅进行了热退火处理，并分析了其光学和电学性质的变化。我们发现，在 1250 nm 至 2500 nm 的波长范围内，该 Si:S 构型的复介电常数虚部几乎保持恒定……
引用
@article{arxiv.1403.2826,
title = {Optical and electrical properties of textured sulfur hyperdoped silicon: a thermal annealing study},
author = {Ke-Fan Wang and Shengchun Qu and Yuanxu Wang and Zhanguo Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.2826},
year = {2015}
}
备注
34 pages, 6 figures, submitted to J. Appl. Physics at Nov. 6th, 2013