低维 CuSbS$_2$ 中近红外激子的形成
介观与纳米尺度物理
2021-08-24 v1 材料科学
摘要
低维半导体的电子和光学性质通常与其体材料对应物有很大不同。然而，二维铜锑二硫化物（CuSbS）的光学带隙并未随着材料厚度的减小而发生显著变化。在单层、双层和体材料中，吸收起始边均保持在约 1.5 eV。利用密度泛函理论和多体微扰理论，我们通过量子限域效应、电子-空穴相互作用以及表面态形成的相互作用，合理解释了这一行为。具体而言，薄层中的空间限域在近红外区域诱导了强束缚的光学跃迁。我们的结果解释了不同厚度铜锑二硫化物薄片的光学性质，并将这些材料定位为新型光伏器件和近红外传感器的潜在候选材料。
引用
@article{arxiv.2108.10174,
title = {Formation of Near-IR Excitons in Low Dimensional CuSbS$_2$},
author = {Kevin M. Conley and Caterina Cocchi and Tapio Ala-Nissila},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.10174},
year = {2021}
}