低温下Si(100)表面用于分子电子解耦的二维功能化超薄半绝缘CaF2层
材料科学
2020-11-30 v1
摘要
精确控制吸附物与表面的电子耦合/解耦是一项重要目标。它不仅对表面科学的基础研究至关重要，也对若干应用领域（例如微型分子电子学，或纳米级生物传感器、光伏电池等各种器件的开发）十分重要。在此，我们通过CaF2与硅表面的外延生长，对生长在硅表面的半绝缘层进行了原子尺度的实验与理论研究。我们表明，在形成润湿层后，随后的有序晶胞与额外物理吸附的CaF2分子耦合，周期性地位于其周围。这种构型塑造了条带的形成，从而对半导体表面进行功能化。所获得的组装体具有单层的厚度，显示出3.2 eV的表面带隙。通过在条带上的吸附铁四苯基卟啉分子，利用微分电导测量估算了该结构的电子绝缘性质。我们采用了包含多个复杂度层次（退火、DFT+U和非局域范德瓦尔斯泛函）的密度泛函理论(DFT)来重现实验观测。我们的发现提供了一种独特且稳健的模板，为金属表面（如NaCl）上的电子半绝缘层提供了替代方案。因此，长度可达100 nm以上的CaF2/Si(100)条带结构可用作各种分子器件原子尺度研究的多功能表面平台。
引用
@article{arxiv.2011.13294,
title = {Two Dimensional Functionalized Ultrathin Semi Insulating CaF2 Layer on the Si(100) Surface at a Low Temperature for Molecular Electronic Decoupling AH-2083 arXiv submit/3480305},
author = {Eric Duverger and Anne Gaelle Boyer and Helene Sauriat Dorizon and Philippe Sonnet and Regis Stephan and Marie-Christine Hanf and Damien Riedel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.13294},
year = {2020}
}