CuInX2 (X = S, Se, Te) 黄铜矿结构化合物的电子结构、线性与非线性光学极化率及双折射
材料科学
2009-01-15 v1
摘要
本文使用最先进的全势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法计算了 CuInX2 (X=S, Se, Te) 黄铜矿结构单晶的电子结构以及线性和非线性光学性质。我们给出了能带结构、态密度以及依赖于频率的线性和非线性光学极化率虚部的结果。我们发现这些晶体是具有直接带隙的半导体。我们计算了这些晶体的双折射。与实验数据一致，CuInS2 和 CuInSe2 的双折射为负，而 CuInTe2 的双折射为正。本文报道了依赖于频率的复二阶非线性光学极化率的计算结果。当用 Se 替代 S 时，二次谐波产生的带内和带间贡献增加；而当用 Te 替代 Se 时，这些贡献减小。我们发现与实验数据和先前的理论计算一致，较小带隙的化合物具有较大的值。
引用
@article{arxiv.0901.2017,
title = {Electronic structure, linear, nonlinear optical susceptibilities and birefringence of CuInX2 (X = S, Se, Te) chalcopyrite-structure compounds},
author = {Ali Hussain Reshak and S Auluck},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.2017},
year = {2009}
}
备注
17 pages, 6 figures