六方硫族化镓原子层的能带结构与光学跃迁
介观与纳米尺度物理
2018-01-09 v2 材料科学
摘要
我们报道了二维 GaX（X=S, Se, 和 Te）晶体的电子能带结构和光吸收谱的密度泛函理论计算。计算表明，这三种二维材料均为动态稳定的间接带隙半导体，其价带顶附近的空穴具有墨西哥帽色散关系。我们预测在空穴浓度分别为 cm、 cm 和 cm 时，空穴掺杂的 GaX 中存在 Lifshitz 相变，即费米面拓扑结构发生变化。
引用
@article{arxiv.1302.6067,
title = {Band Structure and Optical Transitions in Atomic Layers of Hexagonal Gallium Chalcogenides},
author = {V. Zólyomi and N. D. Drummond and V. I. Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.6067},
year = {2018}
}