低维半导体的电子性质与相变
其他凝聚态物理
2008-07-21 v2 材料科学
摘要
我们综述了关于 TlX 和 TlMX2 (M = Ga, In; X = Se, S, Te) 化合物电子性质与相变的文献现状，这是该领域的首篇综述。这些硫族化物属于具有链状或层状结构的低维半导体家族。由于具有高度各向异性、半导电性与光电导性、I-V 特性中的非线性效应（包括负微分电阻区）、开关与记忆效应、光学二次谐波产生、弛豫行为以及在光电器件中的潜在应用，它们引起了广泛关注。我们综述了 TlX 和 TlMX2 化合物的晶体结构、常温下的输运性质、电子结构的实验与理论研究、高压下的输运性质与半导体-金属相变，以及具有中间无公度态的温度诱导结构相变序列。此外，还讨论了上述化合物中铁电相变的电子性质、弛豫行为、纳米畴以及掺杂和辐照晶体中可能出现的量子点。
引用
@article{arxiv.0804.1639,
title = {Electronic properties and phase transitions in low-dimensional semiconductors},
author = {A. M. Panich},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.1639},
year = {2008}
}
备注
70 pages, 38 figures