应变和氢化调控 Ta 二硫属化物单层的磁性
材料科学
2015-08-13 v1
摘要
利用密度泛函理论研究了应变和氢化对基于 Ta 的二硫属化物 (TaX2; X = S, Se, Te) 单层电子和磁性的影响。我们预测了一个复杂的依赖于应变的磁相变情景，涉及顺磁、铁磁和调制反铁磁态。用氢覆盖其中一个硫属化物表面可将反铁磁/非磁性的 TaX2 单层转变为半导体。我们的研究为未来光电子学和自旋电子学应用中操纵磁性开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.1504.04602,
title = {Magnetism of Ta Dichalcogenide Monolayers Tuned by Strain and Hydrogenation},
author = {Priyanka Manchanda and Vinit Sharma and Hongbin Yu and D. J. Sellmyer and Ralph Skomski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.04602},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 5 figures