Bi2OS2 与 LaOBiS2 的结构及光学吸收
材料科学
2015-12-07 v2
摘要
利用光学吸收方法研究了同构的 Bi2OS2 和 LaOBiS2 的带隙，并结合基于同步辐射 X 射线衍射确定的晶体结构计算的能带结构进行了讨论。计算预测 Bi-S 平面内的 Bi 6p 和 S 3p 轨道构成费米能级附近的能带。Bi2OS2 和 LaOBiS2 的光学反射光谱显示出约 1.0 eV 的光学带隙，与计算得到的约 0.8 eV 的直接带隙接近。我们的结果表明，Bi2OS2 和 LaOBiS2 是具有 0.8-1.0 eV 直接带隙的半导体，被认为是近红外区不含高毒性元素的光电材料候选者。
引用
@article{arxiv.1508.01635,
title = {Structures and Optical Absorption of Bi2OS2 and LaOBiS2},
author = {Akira Miura and Yoshikazu Mizuguchi and Takahiro Takei and Nobuhiro Kumada and Eisuke Magome and Chikako Moriyoshi and Yoshihiro Kuroiwa and Kiyoharu Tadanaga},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.01635},
year = {2015}
}
备注
in Solid State Communications (2015)