异质外延YBiO$_3$薄膜中的基本吸收边
材料科学
2016-09-27 v3
摘要
通过同时模拟不同厚度YBiO薄膜的椭偏光谱和光学透射数据，在0.03 eV到4.5 eV光谱范围确定了在-AlO单晶上脉冲激光沉积生长的异质外延YBiO的介电函数。(111)取向YBiO薄膜名义上无应变，结晶为缺陷萤石型结构，空间群。从计算的吸收谱得到直接电子带隙3.6(1) eV和约0.5 eV间接电子跃迁特征。这些值为先前冲突的电子能带结构计算提供了必要实验反馈，那些计算预测YBiO中或为拓扑平凡或为拓扑非平凡的绝缘基态。
引用
@article{arxiv.1606.03945,
title = {Fundamental absorption edges in heteroepitaxial YBiO$_3$ thin films},
author = {Marcus Jenderka and Steffen Richter and Michael Lorenz and Marius Grundmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.03945},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 4 figures