YTiO3 中的电子结构与小空穴极化子
材料科学
2020-08-31 v1 强关联电子
摘要
作为具有铁磁序的典型 Mott 绝缘体，YTiO3（YTO）在强电子关联效应与轨道序研究中备受关注。本文报道了 YTO 薄膜的首次分子束外延（MBE）生长，并结合理论与实验对电子结构与电荷输运性质进行了表征。讨论了 YTO MBE 生长的障碍并提出了潜在的克服途径。对薄膜与块体单晶的直流输运与塞贝克测量识别出 p 型阿伦尼乌斯输运行为，薄膜中激活能约为 0.17 eV，与杂化密度泛函理论（DFT）计算所得小空穴极化子迁移能垒一致。硬 X 射线光电子能谱测量（HAXPES）显示下 Hubbard 带（LHB）位于费米能级以下 1.1 eV，而由光致发光（PL）测量确定的 Mott-Hubbard 带隙约为 1.5 eV。这些发现为 YTO 及相关材料的电子能带结构提供了关键见解。
引用
@article{arxiv.2008.12754,
title = {Electronic Structure and Small Hole Polarons in YTiO3},
author = {Jin Yue and Nicholas F. Quackenbush and Iflah Laraib and Henry Carfagno and Sajna Hameed and Abhinav Prakash and Laxman R. Thoutam and James M. Ablett and Tien-Lin Lee and Martin Greven and Matthew F. Doty and Anderson Janotti and Bharat Jalan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.12754},
year = {2020}
}
备注
15 pages, 3 figures