半导体 YbN 的光学、振动与电子性质
材料科学
2026-05-19 v1
摘要
我们利用拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱和电子输运测量，结合密度泛函理论，研究绝缘体 YbN 薄膜的振动性、光学性和电子性。拉曼光谱揭示了 LO() 声子和一个阳离子空位模；光导率鉴别了 TO 声子和对应 1.7 eV N 2p{}Yb 5d 过渡的吸收边。该薄膜表现出与绝缘基态一致的热激活电阻。观察到额外的缺陷诱导吸收尾随位于本征带隙以下；结合电子测量，这表明费米能级位于无序导带底部。
引用
@article{arxiv.2605.17166,
title = {Optical, vibrational, and electronic properties of semiconducting YbN},
author = {M. Markwitz and C. Pot and R. G. Buckley and W. F. Holmes-Hewett and S. Granville},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.17166},
year = {2026}
}
备注
7 pages, 5 figures