基于原子层沉积技术的WO$_3$薄膜临界点模型介电函数分析
材料科学
2019-01-10 v1 光学
摘要
通过原子层沉积生长了WO3薄膜，并利用在0.72-8.5 eV光子能量范围内从多个样品获取的光谱椭偏数据，确定了WO3的频率依赖复值各向同性介电函数。我们采用临界点模型介电函数分析，确定了一组参数化的振子，并将观测到的临界点贡献与通过密度泛函理论计算的WO3能带结构中的垂直跃迁能量分布进行了比较。我们利用原子力显微镜研究了表面粗糙度，并与椭偏确定的有效粗糙层厚度进行了比较。
引用
@article{arxiv.1805.04171,
title = {Critical-point model dielectric function analysis of WO$_3$ thin films deposited by atomic layer deposition techniques},
author = {Ufuk Kilic and Derek Sekora and Alyssa Mock and Rafal Korlacki and Elena M. Echeverria and Natale J. Ianno and Eva Franke-Schubert and Mathias M. Schubert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.04171},
year = {2019}
}