揭示伪四方 WO$_3$ 薄膜的电子结构
材料科学
2023-04-24 v1 强关联电子
摘要
WO 是一种二元 5d 化合物，因其在块体中经历的大量结构转变而备受关注。在块体中已展现出广泛的电子特性，包括金属-绝缘体转变和掺杂后的超导性。在此背景下，WO 薄膜的制备对于稳定目标电子相图并将其嵌入技术应用具有重要前景。然而迄今，WO 薄膜的电子结构尚缺乏实验探索，仅通过数值计算表征。从实验上阐明这些性质对于理解该过渡金属氧化物中电子的集体行为，以及解释和调控所观测到的对载流子浓度的光学响应及其珍贵催化活性均十分重要。本文中，通过拉伸应变，我们将 WO 薄膜稳定为一种稳定相，称之为伪四方相，并结合光电子能谱与密度泛函理论计算揭示了其电子结构。本研究构成了 WO 薄膜电子结构的实验证明，并使我们能够确定该系统费米学的首批实验基准。
引用
@article{arxiv.2304.10571,
title = {Unveiling the electronic structure of pseudo-tetragonal WO$_3$ thin films},
author = {F. Mazzola and H. Hassani and D. Amoroso and S. K. Chaluvadi and J. Fujii and V. Polewczyk and P. Rajak and Max Koegler and R. Ciancio and B. Partoens and G. Rossi and I. Vobornik and P. Ghosez and P. Orgiani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.10571},
year = {2023}
}