ε-Ga$_2$O$_3$ 薄膜的温度依赖光学性质
材料科学
2023-11-01 v1 应用物理
摘要
我们利用光学透射和反射光谱在 10 K 至室温的温度范围内确定了 ε-GaO 的复介电函数。测得的介电函数谱在带隙能量处呈现出清晰的结构。我们基于电子能带结构对实验数据拟合了一个模型介电函数。我们利用基于声子色散效应的模型分析了带隙的温度依赖性。可以用声子相关参数（如光学声子温度）对此加以解释。我们将 ε-GaO 的声子相关性质与多种元素及二元半导体进行了比较。
引用
@article{arxiv.2310.20276,
title = {Temperature dependent optical properties of $\varepsilon$-Ga$_2$O$_3$ thin films},
author = {T. Makino and S. Yusa and D. Oka and T. Fukumura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.20276},
year = {2023}
}
备注
10 pages, 6 png figures, using arxiv.sty