外延多铁性薄膜的阻抗谱研究
强关联电子
2007-06-20 v1 材料科学
摘要
温度依赖的阻抗谱能够分离并单独表征凝聚态物质中介电和电阻特性的多种贡献。我们对具有强磁电耦合的关键材料——外延多铁性 BiFeO3（BFO）和 BiMnO3（BMO）薄膜实现了这一点。我们证明外延层的真实薄膜电容与电极界面电容相似，因此需要分析电容随薄膜厚度的变化才能实现分离。我们使用高斯弛豫时间分布对非 Debye 阻抗响应进行了建模，并揭示了对多铁性层进行的常规电阻率测量可能由界面效应主导。热激活电荷传输模型得出的活化能分别为 0.60 eV ± 0.05 eV（BFO）和 0.25 eV ± 0.03 eV（BMO），这与由氧空位（BFO）和电子跃迁（BMO）主导的传导一致。固有薄膜介电常数被确定为 320 ± 75（BFO）和 450 ± 100（BMO）。
引用
@article{arxiv.0704.3262,
title = {Impedance spectroscopy of epitaxial multiferroic thin films},
author = {Rainer Schmidt and Wilma Eerenstein and Thomas Winiecki and Finlay D. Morrison and Paul A. Midgley},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.3262},
year = {2007}
}