基于第一性原理计算的 Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 光学性质
材料科学
2018-10-17 v1
摘要
理论研究了不同 S 与 Se 阴离子浓度下 Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 半导体的结构、电子与光学性质。光学性质在三种理论层级下计算：广义梯度近似（GGA）、元 GGA 以及杂化泛函。GGA 与元 GGA 计算用现场库仑 Ud 项修正。晶格常数、介电常数与带隙被发现几乎随 S 浓度线性变化。我们也表明，需对布里渊区进行稠密采样以准确刻画介电函数的形状，而这一点难以用杂化泛函实现。该问题由一种近期发展的基于 k dot p 的插值方案解决，它使我们能在同等基础上将杂化泛函计算结果与 GGA 和元 GGA 结果比较。我们发现杂化泛函对实验介电函数提供了总体最佳的一致性。
引用
@article{arxiv.1806.03524,
title = {Optical properties of Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 by first-principles calculations},
author = {Sergiy Zamulko and Kristian Berland and Clas Persson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.03524},
year = {2018}
}