立方 HfO2 电子结构与光学性质的第一性原理 GGA+Ud+Up 研究
材料科学
2013-11-26 v1
摘要
采用广义梯度近似 (GGA)+U 方法计算了立方 HfO2 的电子结构和光学性质。在不考虑 onsite 库仑相互作用的情况下，立方 HfO2 的带隙为 2.92 eV，远低于实验值 (5.7 eV)。通过引入 Hf 原子 5d 轨道的库仑相互作用 (Ud) 和 O 原子 2p 轨道的库仑相互作用 (Up)，我们可以复现带隙的实验值。通过 GGA+Ud+Up 方法计算得到的立方 HfO2 介电函数预测，在吸收谱主峰下方存在一个肩峰结构。这些结果表明，GGA+Ud+Up 方法是计算和预测宽禁带光学材料电子结构和光学性质的一种便捷而有力的方法。
引用
@article{arxiv.1305.0108,
title = {First-principles generalized gradient approximation (GGA) +Ud+Up studies of electronic structures and optical properties in cubic HfO2},
author = {Jinping Li and Songhe Meng and Lingling Li and Hantao Lu and Takami Tohyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.0108},
year = {2013}
}
备注
11 pages and 5 figures