基于第一性原理计算的 HfO2 能带结构衍生性质
材料科学
2012-04-16 v1
摘要
在密度泛函理论和广义梯度近似框架下，采用第一性原理线性缀加平面波方法，并考虑全相对论贡献，计算了 HfO2 立方相、四方相和单斜相的电子能带结构及光学性质。从能带结构中获得了电子和空穴的有效质量。相对论效应起着重要作用，这反映在有效质量数值以及介电函数的精细结构中。计算得到的介电函数虚部和折射率与文献报道的数据吻合良好。
引用
@article{arxiv.1204.2898,
title = {Band structure derived properties of HfO2 from first principles calculations},
author = {Joelson Cott Garcia and A. T. Lino and L. M. R. Scolfaro and J. R. Leite and V. N. Freire and G. A. Farias and E. F. da Silva},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2898},
year = {2012}
}