三带 Hubbard 模型的电子性质

M. B. Zoelfl; Th. Maier; Th. Pruschke; J. Keller

三带 Hubbard 模型的电子性质

强关联电子 2007-05-23 v1

作者: M. B. Zoelfl , Th. Maier , Th. Pruschke , J. Keller

摘要

我们研究了 CuO2 平面内三带 Hubbard 模型的电子能带结构和输运性质。采用动力学均场理论 (DMFT) 求解多粒子问题。计算表明，光学间隙 Delta_opt 来自于从下 Hubbard 带激发到所谓的张量- rice 单极带中。光学间隙 Delta_opt 的值明显小于电荷转移能 Delta (Delta=ep-ed)，这与实验结果一致。对于二维 CuO2 平面，我们研究了 Fermi 面形状随不同 hopping 参数 t_CuO 和 t_OO 的依赖关系。当 t_OO/t_CuO > 0 时，Fermi 面围绕 M 点。还考虑了氧原子能级的不同静态位移，以计算因氧原子位移（由冻结声子引起）导致的电子响应。氧原子轨道的电荷密度相关在掺杂（空穴和电子掺杂）下呈线性关系，但在两个掺杂 regime 中的温度依赖性不同。在前者情况下，它是温度无关的，随掺杂而增大，这导致在高温 Tc 超导体中的 B_1g 模态电子-声子耦合增强。

关键词

三带 Hubbard 模型 CuO2 平面动力学均场理论张量- rice 单极光学间隙

引用

@article{arxiv.cond-mat/9809236,
  title  = {Electronic properties of the three-band Hubbard model},
  author = {M. B. Zoelfl and Th. Maier and Th. Pruschke and J. Keller},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9809236},
  year   = {2007}
}

备注

8 pages, submitted to EPJ B

三带 Hubbard 模型的电子性质

摘要

关键词

引用

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