n型铜氧化物超导体的掺杂依赖电荷转移能隙及实际电子模型
超导电性
2013-05-29 v1 强关联电子
摘要
基于对角度分辨光电子能谱（ARPES）和光学测量数据的分析，我们表明在电子掺杂的铜氧化物超导体中，电荷转移能隙显著小于光学能隙，并且随掺杂而减小。这导致了Zhang-Rice单态与上Hubbard带之间的强电荷涨落。描述该系统的基本模型是一个杂化的双带-模型。在相应的带内和带间跳跃积分相等的对称极限下，该双带模型等价于具有反铁磁交换相互作用的Hubbard模型（即--模型）。--模型的平均场结果很好地解释了费米面和交错磁化强度随掺杂的演化。
引用
@article{arxiv.0807.2498,
title = {Doping dependent charge transfer gap and realistic electronic model of n-type cuprate superconductors},
author = {T. Xiang and H. G. Luo and D. H. Lu and K. M. Shen and Z. X. Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.2498},
year = {2013}
}
备注
4 pages 3 figures