电子掺杂 Cuprate 中的量子临界点
超导电性
2007-05-23 v2
摘要
我们分析了最近通过高分辨率 ARPES 测量获得的 NdCeCuO (NCCO) 中掺杂相关的谱强度和费米面图，表明该电子掺杂化合物的行为可理解为 Mott（伪）间隙的闭合，导致其在最优掺杂上方出现一个量子临界点。通过比较理论与实验光谱，得到的有效 Hubbard 掺杂依赖性与各种估计值及简单筛选计算的结果一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201117,
title = {Quantum Critical Point in Electron-Doped Cuprates},
author = {C. Kusko and R. S. Markiewicz and M. Lindroos and A. Bansil},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201117},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 6 figures